合肥长鑫正式投产DDR4

2019年6月20日，合肥长鑫12英寸DRAM生产线宣布投产。这标志我国在DRAM存储芯片领域实现突破，向国庆70周年献礼。

在2019世界制造业大会现场，我们看到投产了的DDR4，据悉DDR4通过了多个国内外大客户的验证，今年底正式交付。供移动终端使用的低功耗产品LPDDR4X也即将正式投产。

DDR4芯片是中国第一颗自主研发的19纳米DRAM芯片，和国际主流DRAM工艺同步，并获得独立检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告。与此同时，公司正在进行17纳米工艺研发，预计2021年完成。

自2019年5月合肥长鑫董事长兼首席执行官朱一明先生在上海举办的GSAMEMORY+峰会上披露了公司DRAM的技术来自奇梦达之后（详见《长鑫存储亮相GSA存储峰会，公开研发成果进展，业界对》），业界对合肥长鑫的技术路线和未来发展充满了好奇。

合肥长鑫起源于“506项目”，据悉在2016年5月6日，兆易创新董事长朱一明和合肥市及经开区主要领导研讨合肥的存储器项目发展战略，因而得名。“506”项目的发展目标就是成为国内自主发展主流DRAM存储器IDM。

2017年3月合肥长鑫12英寸项目一期厂房开工建设；2018年1月一期厂房建设完成开始设备安装；2018年7月16日，合肥长鑫12英寸DRAM项目进行了控片投片总结会，并宣布正式投产电性片；2018年底19纳米8GB DDR4工程样片下线；2019年第三季度8GB LPDDR4正式投产。

从今天的发布来看，合肥长鑫主攻是移动式存储产品，目前中国国内品牌手机出货已占全球四成以上，LPDDR4的顺利量产并达到理想的良率，将有助于进口替代的策略。

就在昨日（6月19日），合肥长鑫副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士在中国闪存市场峰会（CFMS）上透露了公司技术储备的情况。平尔萱博士表示，最早期的DRAM是平面架构，随着DRAM线宽的减少导致表面积缩减，电容值已经无法满足，因此DRAM架构演变成向上堆叠或是向下挖槽两种，以空间结构争取更多的表面积。堆叠式技术和沟槽式技术在并存近30年后，随着奇梦达破产，堆叠式技术成为DRAM主流。

同时，平尔萱博士也表示，奇梦达在2008年已经成功研发完成堆叠式DRAM技术Buried Wordline，基于Buried Wordline的46nm工艺产品完成研发，与公司上一代58nm工艺相比，晶圆数量增加100%。只可惜，金融危机爆发，DRAM价格断崖式下滑，奇梦达无法让Buried Wordline技术进入大生产，而在2009年破产后，Buried Wordline技术被封存。

合肥长鑫基于授权所获得的奇梦达Buried Wordline相关技术和从全球招揽拥有丰富经验的人才，借助先进的制造装备把奇梦达的46纳米技术平稳推进到了10纳米级别。公司目前也已经开始了HKMG、EUV和GAA等新技术的探索。

合肥长鑫是国内首家自主研发、规模最大、技术最先进的DRAM全流程整合制造商，公司坚持自主创新研发，驱动DRAM产业发展，引领中国存储器行业新格局。其中一期厂房设计月产能12万片12英寸晶圆，目前装机月产能2万片；正在评估年底月产能4万片的可行性。

芯思想研究院认为，8Gb DDR4芯片虽然成功投产，但是量率、产能爬坡和第二代技术的研发对公司来说还是巨大的考验。衷心希望合肥长鑫继续潜心自主研发，推动中国高端芯片产业逐步实现独立自主。