SiC 未来可期

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最近，第三代宽禁带半导体的碳化硅SiC被提及的比较多，各大厂家(像Infineon、Cree、Rohm等)也都在积极进行碳化硅产品的布局。功率半导体器件最为功率变换系统的核心器件，适用于高压低损耗的第三代宽禁带半导体的SiC器件未来可期！接下来我们就来聊聊SiC的那些事儿~

据统计，2010年世界平均电能的消耗与总电能消耗的比例约为20%，这一比率仍在迅速地增长。能源效率的提高作为21世纪最为关注的问题之一，即减小电能转换中的功率损耗。

我们知道，电力转换包括AC-DC，DC-AC，DC-DC(电压转换)和AC-AC(电压或频率转换)，约束这些变换系统效率的主要因素便是其中半导体器件的性能，所以研究和发展功率半导体器件成为提高效率的关键手段。

功率设备按电压等级可以分为低压、中压和高压等，详见下图：

我们知道，目前功率半导体器件的主要材料是硅Si，硅基的金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET和绝缘栅双极型晶体管IGBT经过这么多年的发展和提高，已经成为当今电力电子设备中的核心。但是，硅功率器件的技术已经相对成熟了，使得该技术的创新、更进一步突破显得没有那么容易。这时候，第三代半导体的出现便是偶然中的必然，而新事物的发展也需要相当长的一个过程！

碳化硅SiC是具有独特物理和化学特性的IV-IV复合材料，Si和C原子之间的牢固化学键使得其具有高硬度、化学惰性和高效的导热性；牢固的结合还为其提供了较宽的带隙和高的临界(击穿)电场强度。在许多的宽禁带半导体中，SiC之所以这么出色，因为其宽掺杂范围(10^14~10^19/cm³)在n-和p-型中的控制相对容易。同时，SiC能够形成二氧化硅SiO2作为天然氧化物的能力是其适用于器件制造的另一个优势。

以上特性使SiC备受关注，但是任何新事物的发展并没有那么容易。SiC的物理和化学稳定性使得其晶体生长极为困难，这也是其成本较高的因素之一。

具有不同堆叠顺序的各种SiC晶体结构的存在也是其晶体生长的障碍。在众多晶体结构中，4H-SiC成为功率器件的选择，因为其可以获得高质量的外延晶片和卓越的物理特性，比如高的击穿电场强度。下图是4H-SiC的晶体结构示意图：

其中空心圆代表Si，实心圆代表C，这种结构表现为六边形结构，在晶胞内部具有四个Si-C双层。这种堆叠顺序是闪锌矿和纤锌矿结构的混合体，4H-SiC是功率器件材料中默认的SiC晶体结构。

下面我们再来看看室温下Si和SiC的主要物理特性：

从上表中我们可以看出，SiC带隙大三倍、击穿电场强度大约高十倍、热导率是Si的三倍 。其中，电子迁移率，平行方向的比垂直的高约15%~20%，这有利于开发标准的垂直功率器件SiC晶片。

就目前来说，SiC和氮化镓GaN都属于宽禁带半导体，SiC功率器件具有高品质的外延晶片以及比GaN更成熟的工艺技术，所以其在高压应用中更具吸引力。在大型硅晶片上异质外延生长的GaN基横向开关器件在相对低电压的应用中显示出很大的前景。当然，两者以及Si的发展还需要基于其生产设备以及工艺技术来评估。

SiC正乘风破浪，未来可期~后面的几天我们将围绕SiC来聊聊，今天的内容希望你们能够喜欢！