4日,三星电子表示,开发出了用于新一代超级计算机(HPC)和人工智能(AI)基础的超高速数据分析的超高速DRAM,“Flashbolt”。
Flashbolt是16GB的第三代HBM2E(高带宽存储器·HighBandwidth Memory 2 Extended)DRAM,比第2代的速度和容量分别提升1.3倍,2.0倍。
三星电子在开发出首个第二代8GB HBM2 DRAM“Aquabolt”后量产2年后,这次开发出了第3代产品Flashbolt,再一次领先域高端Memory市场。
Flashbolt具备了,1秒钟可以传输82个Full HD 电影(5GB大小)的数据处理能力。
Flashbolt是在一个Buff Chip上堆积8个16Gb DRAM芯片(10纳米级)实现16GB容量的。三星电子强调,可在新一代客户系统中提供最大容量、最高速度、超节能等最佳的解决方案。
三星电子在 16Gb DRAM芯片上开了5600个孔,接合超过4万个TSV(Through Silicon Via硅通孔),垂直连接8个芯片,是采用超高堆积TSV设计技术的产品。
并采用最佳信号传输电路设计,在1024个数据传输通道中每秒以3.2Gb的速度处理410GB的数据。
三星电子表示“今年将量产该产品,改进原有的AI基础超高速数据分析和高性能图像系统,进一步跨越超级计算机的性能限制,计划开发新一代高性能系统”。
另外,三星电子期待,该产品是全球首个每秒可传输 4.2Gb数据,未来可以在新一代心痛上每秒处理538GB的数据。
这对比第2代产品,每秒处理数据的速度提升了1.75倍。
三星电子Memory事业部战略企划室崔副社长表示“因史上最高性能的新一代DRAM封装的推出,将确保快速发展的高端市场竞争力”,“我们将进一步提供更多样化的解决方案,强化事业领先力量”。
三星电子表示,将稳定的向全球客户供应Aquabolt的同时,计划进一步强化新一代系统开发的合作,扩大Flashbolt的市场。
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