中国首款NAND闪存芯片将于下半年上市

一直以为，闪存芯片是国外的专利，中国企业很难研发出NAND芯片，国内厂商主要是靠进口。

据长江存储科技联席首席技术官称，中国首款国产NAND芯片将于2020下半年上市。我国存储芯片主要依赖进口，市场规模近千亿美元，占我国芯片进口总额比重超过四分之一，规模超过CPU、手机基带等热门芯片。此次长江存储NAND闪存量产上市，不但填补了该领域的国内空白，也极大缩短了与国际领先厂商的差距，为国内存储器今后的生产研发自主化打下了坚实的基础。

长江存储是国内少有的拥有NAND芯片研发及生产能力的企业。中国存储芯片产业以投入NAND Flash市场的长江存储、专注于移动存储芯片的合肥长鑫以及致力于普通存储芯片的晋华集成三大企业为主。

以三家厂商的进度来看，试产时间预计将在2018年下半年，量产时间可能都在2020年上半年，这预示着2020年将成为中国存储芯片生产元年。

据悉，2016年12月底，由长江存储主导的国家存储器基地正式动工，计划分三个阶段，共建三座3D-NAND Flash厂房。第一阶段的厂房已2017年9月完成建设，2018年第三季度开始搬入机台，第四季进行试产，初期投片量不超过1万片，用于生产32层3D-NAND Flash产品，并预计在自家的64层技术成熟后，再视情况拟定第二、第三期的生产计划，如今128层的技术也在研发中。

据介绍，NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4GB的低容量应用中表现得尤为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND被证明极具吸引力。NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。芯片是nand闪存的基本组成，闪存包括nand颗粒和控制芯片及其他器件组成。