国产芯片制造发展决定着我们在半导体产业上所能够达到的高度,而半导体制造产业的短板则限制了国产芯片的发展,其中,光刻机问题尤为严峻。
最近,中国科学院苏州纳米仿生研究所张子旸研究员,与国家纳米科学中心刘前研究员合作,在《纳米快报》杂志(Nano Letters)上发表了一篇名为《超分辨率激光技术制备5 nm间隙电极及阵列》的研究论文,这篇论文描述了该小组开发的新型5 nm超精密激光加工方法。
而就像中科院苏州纳米所的5纳米光刻技术一样,从7月7日被爆出消息,不到小半天,已经在互联网上成为了焦点:一种新型5nm超高精度激光光刻加工方法!
而现在,全球道光刻机的前三代产品全部被 ASML、尼康、佳能垄断,CR3 (前三代产品市场占有率)高达99%。目前形势下,实现光刻机的国产化替代,具有重大的战略意义。
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