Everspin AEC认证的汽车应用MRAM

MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。Everspin MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。

下面讲述Everspin AEC认证的汽车应用MRAM

MRAM非易失性存储器几乎可以在任何汽车系统中提高性能并降低成本

•以全总线速度保存数据

•意外断电后立即恢复状态

•提供AEC Q-100合格的1级（-40 / 125°C）和3级（-40 / 85°C）

保护有价值的数据并降低成本MRAM内存是保留宝贵的车辆数据，简化设计并降低BOM成本的最佳解决方案。

保护宝贵数据的最佳解决方案

•不需要额外的内存用于磨损均衡

•消除了昂贵的电容器

•不再需要功率损耗检测电路

•简化系统固件，始终保持非易失性

简化并降低BOM成本

•无限的耐用性，可安全保存程序代码

•快速写入-以系统总线速度工作的内存

•非易失性，数据保持温度> 20年

•不需要电容器，电池或缓冲液

最大化控制系统的数据访问

MRAM在保持非易失性的同时最大化数据收集率

由于较长的读/写周期，耐用性限制而导致数据丢失

无遗漏数据，写入速度与SRAM一样快，非易失性，无磨损，电源故障期间无数据丢失

MRAM像SRAM一样是快速写入的，而像Flash一样也是非易失性的，但是不需要页面擦除或长写入周期。事件数据可以以总线速度保存到MRAM，并且即使意外断电或掉电也可以保持持久性。

Everspin AEC认证的汽车应用MRAM