铁电存储器这样应对充电桩存储痛点

中国今年提出了要求加快5G网络和数据中心等新型基础设施建设进度，在新型基础设施建设七个领域中，新能源充电桩在列。相比较加油站的充电桩能够承载更多的信息，除电流外还有信息流、资金流等等。作为车联网数据采集的主要端口，充电桩网络的大面积建成一定会成为未来社会交通系统的重要信息平台。

充电桩数据的记录和存储的非常重要的。充电桩是给新能源汽车提供电能的配套产品，充电桩在运作中需要处理大量的参数，通过系统监测数据和事件信息，实现设备集中远程监控，为设备故障诊断提供必要的数据支持，也为电站综合管理提供全面的统计数据和各类统计报表。为此所有数据必须进行统一的采集、查看和分析，并提供设备运行状态实时监测、危险警告与通知、数据查询分析、设备运行总额和管理等功能。

充电桩生产商需要挑选合适的存储芯片产品予以应对，其数据存储芯片的应用需求与智能表计非常相似。目前的铁电存储器在智能电表行业已经作为标准存储器被广泛采用，其具备的三个优势是许多同类型存储器芯片无法比拟的。FRAM存储器的三大优势分别是高速写入、耐久性以及低功耗。与EEPROM对比，FRAM存储器写入次数寿命高达10万亿次，而EEPROM芯片却仅有百万次(10^6)。富士通FRAM存储器写入数据可在150ns内完成，速度约为EEPROM存储器的3万倍。写入一个字节数据的功耗仅为150nJ，约为EEPROM的1/400，在电池供电应用中是具备有巨大的优势。

FRAM、EEPROM、FLASH主要参数对比

富士通FRAM能够进行高速写入且实现高速擦除。以保障数据安全为例，若遇到黑客违法盗取及分析充电桩的机密数据信息，将导致大范围的信息泄露。对此低功耗和高速的FRAM可以利用小型电池电源，瞬间消去重要数据，从而确保用户的信息安全。这时FRAM仅需0.1mA的工作电流，就能够在0.3ms的时间内擦除256bit的数据，相比EEPROM拥有显著的优势。

FRAM、EEPROM、FLASH工作电流与消去时间对比