中科院回应：制作手机芯片的关键，5纳米光刻技术突破ASML垄断是误读

中科院回应：5纳米光刻技术突破ASML垄断是误读。

中科院7月公布一项报告，介绍团队研发的新型 5 纳米超高精度激光光刻加工方法。许多媒体解读为中国5nm光刻技术突破。

该论文的通讯作者、中科院研究员、博士生导师刘前回应《财经》，这是一个误读，这一技术与极紫外光刻技术是两回事。

目前主流的28纳米、40纳米、65纳米线宽制程采用的都是浸润式微影技术（波长为134纳米）。但到了5纳米，由于波长限制，浸润式微影技术无法满足更精细的制程需要，这是极紫外光刻机诞生的背景。

而中科院研发的5纳米超高精度激光光刻加工方法的主要用途是制作光掩模，这是集成电路光刻制造中不可缺少的一个部分，也是限制最小线宽的瓶颈之一。目前，国内制作的掩模版主要是中低端的，装备材料和技术大多来自国外。

中科院这一技术在知识产权上是完全自主的，成本可能比现在的还低，具有产业化的前景。

但是要突破荷兰ASML（阿斯麦）在光刻机上的垄断，还有很多核心技术需要突破。