中科院正式辟谣！国产技术还在180nm水平，5nm技术被媒体过分解读

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今天跟大家聊一聊：中科院正式辟谣！国产技术还在180nm水平，5nm技术被媒体过分解读。

随着智能化社会的到来，对于高端芯片的依赖越来越大了，然而在高端芯片的制造上，我们依然存在着很大的劣势，尤其体现在光刻设备上，缺少了先进的光刻机，也直接导致了国内芯片制造不尽人意，而华为目前的困境，就是中国整个半导体的缩影。

很多人都会好奇，为什么我们没有办法生产出光刻机呢？光刻机最复杂的环节就在光刻技术上，不仅需要顶级的光源，在精度上的要求也非常的苛刻，美日几乎垄断了市场上所有的光刻技术。好在目前中科院把光刻机相关技术，当成了首要攻克的目标，在国内半导体企业的配合下，相信实现技术突破不会用很长的时间。

目前也已经有很多关于光刻机相关技术被研发出来，而此前中科院的一篇报道也被传的沸沸扬扬，标题为《超分辨率激光光刻技术制备5纳米间隙电极和阵列》，这篇研究论文在当时引起了很大的关注。

而当时正处于华为被限制最严的时刻，在中科院这一篇报道出来之后，引起了很多媒体的错误解读，很多人都不理解其中的意思，就把它误解为中国不需要EUV光刻机，就已经有能力生产出5nm的光刻机了。

其实事实并非如此，但在当时那种情况之下，很多人还是相信了这样的误解，因为有中科院的这篇研究论文摆在那边。而对于这样的错误解读，该论文的通讯作者刘能在近期接受了采访，也彻底对国内是否有能力生产5nm芯片做出了解答。

刘能对文章中提到的5nm超高精度激光光刻技术，进行了详细的解答，这项技术主要是用在光掩膜制作上，和EUV光刻机的极紫外光刻技术完全是两回事，二者之间也没有实际的联系，存在这样的误解是因为媒体混淆了两种技术的概念。

虽然光掩模技术也是光刻机制造中不可或缺的，但在技术难度上和整体的重要性上，和极紫外光刻技术上还是没有可比性的，在光刻过程中，极紫外光通过激光把电路设计图写在光掩模上，最后把电路图照射到硅片表面上，一切步骤准备就绪之后就会进行最终的刻蚀工艺。

其实光掩模的精度也会影响到集成电路的线宽，越高精度的芯片对光掩模的技术匹配要求也会更高，在这项技术没有得到突破之前，中国只能够生产中低端的光掩模，对于高端的技术长期被日本以及美国的三家公司垄断。

虽然这项技术并没有媒体传的那么夸张，没有光刻机也还是不能完成5纳米芯片的制造，但对于我们来说也还是拥有着决定性的意义的，意味着5nm级别的光掩模，我们已经有办法实现完全自主国产化，这对于今后高端芯片的制造还是有很大帮助的，但目前也正在处于实验室阶段，正式退出市场还需要一定的时间。

根据相关消息称，有半导体领域的资深专家，透漏出了目前国内半导体的现状，他表示：“目前国内可以实现的制程工艺仅为180纳米，而且还在测试阶段，还没有真正实现完全国产化。”

在这样的消息传出之后，很多人都觉得不可思议，此前不是说国内有办法生产28nm以上的芯片了吗？那这究竟是怎么回事呢？据悉虽然已经有办法生产出28纳米以上的芯片，但是仍然需要用到大量的国外技术。

半导体领域的专家也直接指出了中国光刻技术发展缓慢的原因，主要因为产业环境的问题，国产的设备在此前并不被看好，也没有国内的企业愿意牺牲利润，来帮助国内的设备制造商来进行测试，这也直接导致了如今国内半导体领域陷入了困境。

虽然在华为的呼吁之下，很多国内企业也都明白了自主创新的重要性，但是在技术基础上面的落后，在短期之内也没有办法弥补，好在目前国内半导体企业已经融合到一起，各大高校也在积极培养集成电路领域的人才，虽然这条路很艰难，但是我们也已经别无选择，把技术掌握在自己手上，才能够彻底摆脱欧美国家的束缚，对此你们有什么看法呢？