新一代大尺寸集成电路硅单晶生长设备试产成功

12月25日经济日报-中国经济网讯报道：西安理工大学和西安奕斯伟硅片技术有限公司共同研制的国内首台新一代大尺寸集成电路硅单晶生长设备日前在西安实现一次试产成功。在此之前，大尺寸半导体硅单晶材料是约束我国绝大多数集成电路企业发展的“绊脚石”，所以此次集成电路取得突破，对我国以后集成电路企业的发展具有重大意义。

据了解，此次合作早在2018年起已经开始，期间西安理工大学与西安奕斯伟硅片技术有限公司紧密协作，终于在近日取得成功。

2018年起，西安理工大学刘丁教授团队与西安奕斯伟硅片技术有限公司紧密协作，开展技术攻关，成功研制出直径300毫米、长度2100毫米的高品质硅单晶材料。实现了采用自主研发国产装备拉制成功大尺寸、高品质集成电路级硅单晶材料的突破。

单晶硅生长设备就是直拉法单晶硅生长炉，如果能稳定量产还是有一定技术含量的，主要是生长周期长，环境要求高，需要很精确的检测和自动控制技术。300毫米是12寸硅片，是当前主流尺寸。目前国内能生产12寸硅片的厂家有重庆超硅，中环半导，沪硅产业，新美光等，但是他们用的都是国外生长炉设备。而且他们的12寸硅片产品，也大多用于国内半导体生产厂家的测试环节，而不是生产环节。

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