烧了1550亿，终于收获成果！日媒：中国芯片巨头取得技术突破

回顾中国的近代史并不是那么漂亮，甚至给了所有中国人一个惨痛的教训。近些年来，中国也一直在完善自己、让自己变得更加强大，为此中国在各个领域也是十分努力想要做到最好，尽管并没有样样拔尖，但是中国的综合国力的提升也是有目共睹的。毕竟中国在不少技术领域都起步较晚，当中国在一些行业迅速发展时，总会借助其他国家的一些技术来进行合作，但总归别人的技术，中国也是想要做到真正的独立自强，所以也从未放弃过研究出独属于自己的一些技术。

半导体在如今这个高科技的时代是十分重要的，而在此之前我国的半导体大多都是从国外引进，为此我国也是下了不少功夫。经过了刻苦的钻研，我国的最大快闪存储器制造商长江存储表示预计今年就可以试产第一批192层3D NAND闪存芯片了，而具体时间可能确定在今年的下半年。

近期日媒就报道了这一消息，而这消息一出在国际上就激起了不小的浪花。192层的3D NAND闪存芯片是个什么概念呢？只能举例表示三星正在研发的目标是172层的3D NAND 闪存芯片，而美光的目标则是176层。就以这几个数字来看，长江存储的技术已经远远领先那些巨头企业了。虽说其技术是先进了不少，但是却还是有一些不足之处的，192层3D NAND闪存芯片的良品率与三星等巨头企业还是不能比的，其产能也并不高，希望长江存储在这些方面还要多多努力。

为了研发属于自己的、高于现有技术的192层3D NAND闪存芯片，中国也是投进去了1550亿的资金，可想而知中国对此有多么重视。近些年来，美国一直在半导体技术上对中国有着压制，而中美关系也一直处于紧张状态，所以要想我国长久且更好地发展下去就必须将高技术紧紧握在自己手里才安全。如今长江存储的技术突破简直是为中国打破外国技术垄断的一大胜利，这也让不少国内行业都松了一口气，终于不用再看美国的眼色了。