3月17日,中国电子科技集团对外公布,成功实现离子注入机全谱系产品国产化,其中就包括高能离子注入机和第三代半导体离子注入机,工艺段覆盖至28nm,看下面视频——
其实,中电科的离子注入机早就量产了,而且中芯国际、清华大学等机构都在采用。那么这次中电科的设备突破性体现在哪里?为什么那么重要?
我们都知道,离子注入机是芯片制造中的关键装备,执行的是核心的掺杂工艺,比如碳化硅MOSFET的N+源区和P井掺杂都是采用离子注入的方式,在1700℃温度中进行退火激活。
而离子注入机包括三种机型,大束流离子注入机、中束流离子注入机和高能离子注入机。据中电科自己介绍,2020年中电科拥有大束流和中束流离子注入机产品,但高能离子注入机还在研发之中。
实际上,全球只有三家公司拥有全系列离子注入机产品——美国的AMAT/Varian、Axcelis,以及日本的SMIT。其中,Axcelis在高能离子注入机领域占据了近乎垄断地位。
也就是说,中电科一旦能够量产高能离子注入机,就是全球第四家拥有全系列离子注入机的企业。而且中电科这次的工艺段覆盖至28nm,对于芯片的国产片进程又有一定的推动作用,甚至有望打破垄断。
今年一季度,中电科的高能离子注入机首批2台设备正式进入客户端。其实早在2020年6月22日,中电科的离子注入机就成功实现了百万电子伏特高能离子加速。
最后,什么是离子注入工艺?看看下面这个视频吧!
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