今天，我们来谈谈eMRAM技术

1月16日，格芯中国eMRAM研讨会即将隆重召开。届时，格芯将与其业内合作伙伴与客户一起讨论eMRAM技术领域的各项进展。格芯中国eMRAM研讨会的组织召开将是格芯业内领导力的又一有力证明，今天，我们就来回顾eMRAM技术的发展历程，解析格芯eMRAM技术的优势与应用。

MRAM技术的开发已经持续数十年，到目前为止，eMRAM已确立了领先的地位。eMRAM同时具有高数据密度、高速度，耐用性，低功耗和非易失性的特点。综合的优势、卓越的性能和技术的成熟，成为设计公司在 28nm及以下工艺平台选择eRMAM的重要因素。

过去，人们认为eMRAM无法商用，因为它在制造成本和可靠性方面存在巨大挑战：材料复杂、高温条件下的数据维持能力低、抗磁力干扰能力差，价格高昂和制造过程复杂。通过业界共同的不断努力，代工厂已经解决了材料及制造工艺过程复杂的问题，多家主流晶圆设备生产商与晶圆厂采用了更适合eMRAM 技术的淀积和蚀刻装置，提高了产出，使得生产成本具备了竞争力。

拥抱eMRAM技术的代工厂中就包括格芯。2017年9月，格芯宣布推出基于公司22纳米 FD-SOI (22FDX)平台的可微缩嵌入式磁性随机存储器（eMRAM）技术。作为业界最先进的嵌入式内存解决方案，格芯22FDX eMRAM，为消费领域、工业控制器、数据中心、物联网及汽车等广泛应用提供优越的性能和卓越可靠性。

格芯22FDX eMRAM具有业界领先的存储单元尺寸，拥有在260°C回流焊中保留数据的能力，同时能使数据在125°C环境下保留10年以上。这项行业领先的技术优势使其能够被用于通用、工业和汽车领域的微控制器单元(MCU)。FDX和eMRAM的能效优势，连同射频连接功能和毫米波IP，使得22FDX成为电池驱动的物联网和自动驾驶汽车雷达片上系统(SoCs)的理想平台。

除了22FDX eMRAM技术以外，格芯在嵌入式存储器领域也获得了多项进展。2017年11月，格芯及上海复旦微电子集团股份有限公司宣布，已通过使用格芯55纳米低功率扩展(55LPx) 技术平台，制造出下一代双界面CPU卡芯片。格芯55LPx平台能够将多种功能集成到单芯片上，从而提供安全、低功耗且具成本效益的解决方案，该解决方案尤其适合中国银行卡市场，包括金融、社会保障、交通、医疗和移动支付等应用。未来，格芯会继续精进技术，帮助客户打造出更多可靠的高质量eMemory类产品。

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