Micron即将量产第五代10 nm芯片

美光科技最近向重要智能手机制造商发送了基于第五代10 nm（1b或12 nm到13 nm）工艺的低功耗双数据速率5X（LPDDR5X）原型样品。

美光没有透露新产品的规格，但表示与之前的版本相比，该产品的电源效率提高了15%，单位面积存储的比特数提高了35%。

三星电子、SK海力士、以及美光占据全球DRAM市场的90%以上。根据市场研究公司Omdia提供的数据，三星电子第二季度以43.3%的份额占据第一，紧随其后的是SK海力士和美光，分别掌握28.1%和23.6%的市场份额。

从去年1月，美光开始批量生产第4代1a DRAM，领先于三星电子。它宣布在2020年底开发业界首款176层NAND闪存，当时三星电子和SK Hynix正专注于128层NAND闪存。

美光公司已经在今年5月宣布，将在2022年开始批量生产1β型DRAM。而三星电子和SK Hynix计划在明年年初批量生产1β型DRAM产品，那么美光极有可能成为第一个批量生产1β DRAM的公司。

三星电子和SK Hynix将EUV光刻应用于1a DRAM产品，但美光将继续使用氟化氩激光来生产1b DRAM。它计划从第六代10 nm芯片开始应用EUV工艺。

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