集微网消息(文/杨艳柔)11月30日,长光华芯在发布的投资者关系活动记录中表示,半导体行业投资周期长,厂房建设和产线建设是一个长期规划,一般需要三年以上的建设。短期的经济周期影响,不会对长期产能的规划造成影响。国产替代,必须是从设备到生产全部实现自主可控。面对国际形势,从中长期发展的战略布局来看,扩充五倍产能是合理的。
关于高功率半导体芯片技术壁垒的问询,长光华芯回应,公司以IDM工艺方式加工,存在综合性壁垒,外延、高功率腔面处理技术、关键工艺上等,对材料和制造工艺高度依赖,壁垒比较大。核心关键工艺自己掌握,与关键工艺相关的设备自己设计制造,没有类似的设备,与工艺高度绑定,属于核心技术。
另外,长光华芯还表示,探测器芯片是公司未来横向扩展布局的一个方向。在显示领域,蓝绿光这一块公司已经做了布局了,氮化镓的材料体系已经扩展,相应设备都已经陆续到位。公司现在是做相应的技术储备和量产储备。
此前,长光华芯此前曾在投资者互动平台表示,公司已建成覆盖芯片设计、外延生长、晶圆处理工艺(光刻)、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合等IDM全流程工艺平台和3吋、6吋量产线,应用于多款半导体激光芯片开发,突破一系列关键技术,是少数研发和量产高功率半导体激光芯片的公司之一。同时,依托公司高功率半导体激光芯片的技术优势,公司业务横向扩展,建立了高效率VCSEL激光芯片和高速光通信芯片两大产品平台,另外公司业务向下游延伸,开发器件、模块及终端直接半导体激光器,上下游协同发展。
(校对/黄仁贵)
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