暂无搜索历史
摘要：碳化硅衬底切割对起始位置精度与厚度均匀性要求极高，自动对刀技术作为关键技术手段，能够有效提升切割起始位置精度，进而优化厚度均匀性。本文深入探讨自动对刀技术...
摘要：碳化硅衬底切割过程中，进给量与磨粒磨损状态紧密关联，二者协同调控对提升切割质量与效率至关重要。本文深入剖析两者相互作用机制，探讨协同调控模型构建方法，旨在...
碳化硅衬底切割过程中，厚度不均匀问题严重影响其后续应用性能。传统固定进给量切割方式难以适应材料特性与切割工况变化，基于进给量梯度调节的方法为提升切割厚度均匀性提...
在碳化硅衬底加工过程中，切割进给量是影响其厚度均匀性的关键工艺参数。深入探究二者的量化关系，并进行工艺优化，对提升碳化硅衬底质量、满足半导体器件制造需求具有重要...
在碳化硅衬底厚度测量中，探头温漂与材料各向异性均会影响测量精度，且二者相互作用形成耦合效应。深入研究这种耦合影响，有助于揭示测量误差根源，为优化测量探头性能提供...
在碳化硅衬底厚度测量中，探头温漂是影响测量精度的关键因素。传统测量探头受环境温度变化干扰大，导致测量数据偏差。光纤传感技术凭借独特的物理特性，为探头温漂抑制提供...
在碳化硅衬底厚度测量过程中，探头温漂会严重影响测量精度。构建探头温漂的热传导模型并进行实验验证，有助于深入理解探头温漂的产生机理，为提高测量准确性提供理论依据与...
在碳化硅衬底厚度测量过程中，测量探头温漂是影响测量准确性的重要因素。深入剖析其误差机理并研究有效的补偿技术，对提升碳化硅衬底厚度测量精度、保障半导体器件制造质量...
在 MICRO OLED 的制造进程中，金属阳极像素制作工艺举足轻重，其对晶圆总厚度偏差（TTV）厚度存在着复杂的影响机制。晶圆 TTV 厚度指标直接关乎 MI...
摘要：本文聚焦晶圆背面减薄过程中晶圆总厚度偏差（TTV）的管控问题，从减薄工艺参数优化、设备性能提升、检测与反馈机制完善等方面，系统阐述有效的 TTV 管控方法...
晶圆修边是半导体制造过程中的重要环节，可去除晶圆边缘的缺陷与多余材料，降低后续工艺中晶圆破裂风险。但修边处理会使晶圆边缘受力，内部应力重新分布，导致 TTV 发...
在半导体制造领域，键合晶圆技术广泛应用于三维集成、传感器制造等领域。然而，键合过程中诸多因素会导致晶圆总厚度偏差（TTV）增大，影响器件性能与良品率。因此，探索...
摘要：本文针对激光退火后晶圆总厚度偏差（TTV）变化的问题，深入探讨从工艺参数优化、设备改进、晶圆预处理以及检测反馈机制等方面，提出一系列有效管控 TTV 变化...
摘要：本文针对湿法腐蚀工艺后晶圆总厚度偏差（TTV）的管控问题，探讨从工艺参数优化、设备改进及检测反馈机制完善等方面入手，提出一系列优化方法，以有效降低湿法腐蚀...
液晶显示技术广泛应用于各类电子设备，而液晶驱动线路作为核心组件，承担着控制液晶分子偏转、实现图像显示的重要任务。随着显示技术不断升级，对液晶驱动线路稳定性和可靠...
随着液晶显示技术在众多领域的广泛应用，GOA（Gate Driver on Array）液晶面板扫描电路作为其中关键的组成部分，对液晶显示效果起着至关重要的作用...
暂未填写公司和职称
暂未填写个人简介
暂未填写技能专长
暂未填写学校和专业
暂未填写个人网址
暂未填写所在城市
