功能介绍
TDSQL Boundless 提供了默认预置参数模板以覆盖典型业务负载特征，您可以根据自己的业务场景，选择最合适的参数模板。您可以使用数据库参数模板管理数据库引擎的参数配置。数据库参数组就像是引擎配置值的容器，这些值可应用于一个或多个数据库实例。
默认参数模板包括读写均衡模板、高吞吐写入模板与高吞吐读取模板。
注意：
购买 V21.6.1.0 及以上版本的实例才支持选择参数模板。
已使用参数模板的数据库实例并不会随着参数模板更新而同步更新，需要手动批量更新数据库实例。
当前模板仅覆盖存储引擎相关参数，其他业务相关参数，例如，字符集、最大连接数、隔离级别等不受模板影响。
系统默认模板说明
TDSQL Boundless 针对不同系统对于数据库性能、稳定性上要求不同，分别提供了通用模板以及注重读取性能或写入性能的默认模板。
读写均衡模板（推荐）
读写均衡参数模板注重读写均衡，适合通用 OLTP 的业务。
高吞吐写入模板
高吞吐写入参数模板注重写入优化，适合写密集型业务或者批量加载数据的场景，例如，包括但不仅限于日志类、流水类、IoT 数据汇聚类业务。
高吞吐读取模板
高吞吐读取参数模板注重读取优化，适合读多写少业务，例如，包括但不仅限于报表类、归档业务等。
模板参数差异
涉及参数如下：
说明：
参数模板中部分参数是根据公式自动计算出值。
模板参数差异表中：
读写均衡模板（默认）：部分参数取值会随实例规格自动调整。
高吞吐写入模板：模板覆盖范围内的部分参数将固定为预置值，停写、缓写，不再随规格自动变化。
高吞吐读取模板：部分参数的取值会随实例规格自动调整。
差异参数名 | 读写均衡模板（默认） | 高吞吐写入模板 | 高吞吐读取模板 |
tdstore_user_cf_write_buffer_size | 内存 < 32 GB：64 MB 32 GB ≤ 内存 < 64 GB：128 MB 内存 >= 64 GB：256 MB | 256 MB | 256 MB |
tdstore_user_cf_max_bytes_for_level_base | {tdstore_user_cf_level0_file_num_compaction_trigger} * {tdstore_user_cf_write_buffer_size} | 4 GB | 1 GB |
tdstore_user_cf_target_file_size_base | 32 MB | 32 MB | 256 MB |
tdstore_user_cf_level0_file_num_compaction_trigger | 4 | 16 | 1 |
64 | 128 | 64 | |
128 | 256 | 128 | |
tdstore_user_cf_disable_intra_l0_compaction | OFF (开启 L0 层内合并) | ON (关闭 L0 层内合并) | OFF (开启 L0 层内合并) |
tdstore_user_cf_soft_l0_pending_compaction_bytes_limit | 磁盘 < 1 TB：32 GB 1 TB ≤ 磁盘 < 3 TB：64 GB 磁盘 ≥ 3 TB：128 GB（全局缓写） | 128 GB | 同默认模板 |
tdstore_user_cf_hard_l0_pending_compaction_bytes_limit | 磁盘 < 1 TB：128 GB 1 TB ≤ 磁盘 < 3 TB：128 GB 磁盘 ≥ 3 TB：256 GB（全局缓写） | 256 GB | 同默认模板 |
磁盘 < 1 TB：256 GB 1 TB ≤ 磁盘 < 3 TB：512 GB 磁盘 ≥ 3 TB：0（关闭全局缓写保护机制） | 0 (关闭全局缓写保护机制) | 同默认模板 | |
磁盘 < 1 TB：512 GB 1 TB ≤ 磁盘 < 3 TB：1024 GB 磁盘 ≥ 3 TB：0（关闭全局缓写保护机制） | 0 (关闭全局停写保护机制) | 同默认模板 | |
tdstore_user_cf_compression_per_level | kNoCompression:kNoCompression:kLZ4Compression:kLZ4Compression:kZSTD:kZSTD:kZSTD | kLZ4Compression:kLZ4Compression:kZSTD:kZSTD:kZSTD:kZSTD:kZSTD | 同默认模板 |
核心参数说明
参数 | 说明 | 选择建议 |
tdstore_user_cf_write_buffer_size | 单个写缓冲区（MemTable）的大小。写入先进入缓冲区，满了才刷盘。值越大，写入吞吐越高（减少刷盘频率），但内存占用越多、故障恢复时间越长。 | 64 MB：内存紧张或写入量小的场景 128 MB：通用推荐 256 MB：大批量写入场景，例如，数据导入等 |
tdstore_user_cf_max_bytes_for_level_base | LSM-Tree L1 层的容量上限，该参数决定了 LSM-Tree 的整体层数和写放大。值越大，层数越少，写放大越小，但单次 Compaction 的数据量更大。 | 1 GB：数据量中等、读性能优先的业务 4 GB：超大数据量、写吞吐优先的业务 |
tdstore_user_cf_target_file_size_base | 每个 SST 数据文件的目标大小。值越大：文件数越少、元数据开销低；值越小：Compaction 粒度更细、缓存命中率更高。 | 32 MB：数据量中等、读性能优先的业务 256 MB：超大数据量、写吞吐优先的业务 |
tdstore_user_cf_level0_file_num_compaction_trigger | L0 层是刚从内存刷盘的文件堆积区，文件越多查询越慢。该参数控制 L0 层堆积多少个文件后触发 Compaction 整理。值越小：整理越及时，读性能稳定；值越大：写入更流畅，但读延迟波动大。 | 1：读多写少，读性能优先的业务 4：通用场景，读写均衡 16：大批量写入场景，例如，数据导入等，通过容忍短暂读性能下降，换取写入不被阻塞 |
L0 文件数达到此阈值时降低写入速度（限流），给 Compaction 留出追赶时间。 | 64：通用场景，读写均衡 128：大批量写入场景，例如，数据导入等，通过容忍短暂读性能下降，换取写入不被阻塞 | |
L0 文件数达到此阈值时完全停止写入，直到 Compaction 追上。这是保护机制，防止 L0 无限膨胀。 | 128：通用场景，读写均衡 256：大批量写入场景，例如，数据导入等，通过容忍短暂读性能下降，换取写入不被阻塞 | |
tdstore_user_cf_disable_intra_l0_compaction | 该参数控制 L0 层是否开启层内文件合并，若开启 L0 层内文件合并，L0 内的小文件先合并成大文件，减少 L0 文件数量，有利于降低读放大；若关闭 L0 层内合并，适用于写入密集且 L0 文件数阈值设得很高的场景，减少 Compaction CPU 开销。 | OFF：开启 L0 层内合并，适合读多写少业务 |
| | ON：关闭 L0 层内合并，适合写入密集场景 |
tdstore_user_cf_soft_l0_pending_compaction_bytes_limit | L0 层缓写参数，当 L0 层待 Compaction 字节数达到此值时触发缓写（降低写入速度），专门防止 L0 层膨胀。 | 32 GB：读多写少，读性能优先的业务 64 GB：通用场景，读写均衡 128 GB：大批量写入场景，例如，数据导入等，通过容忍短暂 L0 Compaction 粒度过大，换取写入不被阻塞 |
tdstore_user_cf_hard_l0_pending_compaction_bytes_limit | L0 层停写参数，当 L0 层待 Compaction 字节数达到此值时触发停写，专门防止 L0 层膨胀。 | 128 GB：读写均衡场景 256 GB：大批量写入场景，例如，数据导入等，通过容忍短暂 L0 Compaction 粒度过大，换取写入不被阻塞 |
全局缓写参数，当 Compaction 跟不上写入速度时，待整理的数据会堆积，该参数通过缓写（降低写入速度）保护防止磁盘被撑爆。 | 0：关闭全局触发缓写保护机制 256 GB：全局待 Compaction 数据量达到 256 GB 时触发缓写保护机制，通用配置 512 GB：全局待 Compaction 数据量达到 512 GB 时触发缓写保护机制，适合超大实例 | |
全局停写参数，当 Compaction 跟不上写入速度时，待整理的数据会堆积，该参数通过停写（停止写入）保护防止磁盘被撑爆。 | 0：关闭全局触发停写保护机制，即永不因此停写 512 GB：全局待 Compaction 数据量达到 512 GB 时触发停写保护机制，通用配置 1024 GB：全局待 Compaction 数据量达到 1024 GB 时触发停写保护机制，适合超大实例 | |
tdstore_user_cf_compression_per_level | 按 LSM 层级分别配置压缩算法。L0~L1 用 LZ4（速度快，CPU 低），L2~L6 用 ZSTD（压缩率高，节省磁盘）。上层重速度，下层重空间。 | kNoCompression:kNoCompression:kLZ4Compression:kLZ4Compression:kZSTD:kZSTD:kZSTD：上层不压缩，读取上层热数据较快，底层大量冷数据压缩率较高，读写均衡。 kLZ4Compression:kLZ4Compression:kZSTD:kZSTD:kZSTD:kZSTD:kZSTD：上层数据也压缩，减少写密集场景下 compaction 对 IO 带宽的消耗 |
如何使用
注意事项
1. 模板覆盖范围内的参数会被固定：选择"高吞吐写入"或"高吞吐读取"后，模板覆盖的参数不会再随实例升降配自动变化；如需让这些参数继续随规格自适应，请在创建实例时选择"读写均衡模板（默认）"。
2. 可单独修改其中某个参数：模板生效后，您仍可在控制台的参数配置页对单个参数做精细化调整，单独修改不会影响模板内的其他参数。
常见问题
"读写均衡模板"和"高吞吐写入模板/高吞吐读取模板"在升降配时表现有何不同？
读写均衡模板（默认）：随实例规格变化，模板内参数会自动重新计算并生效。例如：
升内存：内存写缓冲区会随之变大（如内存从 < 32 GB 升到 ≥ 64 GB，写缓冲区从 64 MiB 增大到 256 MiB），L1 基准容量随之同步放大。
降内存：参数会向下收敛到匹配新规格的档位。
磁盘扩缩容：四个 pending bytes 阈值（缓写/停写）会按新磁盘容量分档重新计算。
高吞吐写入 / 高吞吐读取模板：模板覆盖的参数已固定为预置值，不会随规格变化；其他未被模板覆盖的参数仍按默认规则随规格变化。
我之前手工修改过模板覆盖范围内的某个参数，再升降配会怎样？
读写均衡模板（默认）：您手工修改并持久化的参数会被优先保留——实例升降配时，系统不会覆盖您已经手工修改过的参数；其他未被您修改的参数则按模板或自适应规则正常变化。
高吞吐写入 / 高吞吐读取模板：这两个模板是系统为极端读写场景深度调优的，单独修改某一项可能导致整体性能不符合预期。
临时修改：支持临时调整参数，重启前生效，不影响其他参数。
持久化修改（不推荐）：如果您将某个参数修改并持久化，实例重启后，该实例参数将被回退至“读写均衡模板”所对应默认值。此时，该参数会被标记为用户修改，在后续升降配中得以保留，但已脱离原高吞吐写入 / 高吞吐读取模板的优化体系。
