在美国和我国的多项产业之间一直以来都是抗衡的关系,美国也一直试图对我国多个方面进行压制,并且美国对我国的许多产品都进行着封锁。
尤其是在对于芯片行业当中,美国一向更是加大了力度对我国的华为进行打压,限制了我国在这一方面的许多发展。
这一次美国又在对我国的芯片下手,而且甚至还展现出宁愿自己损失,也不让我国储存芯片再继续发展的一个情况,那这究竟是怎么回事呢?
就在八月初的时候,根据路透社的相关报道可以得知,美国非常有可能对我国的出口芯片生产设备进行禁止,而且这一次他们所针对的目标当中主要是NAND的储存芯片生产商,尤其在其中还点名了我国的长江储存。
其实早在四月分的时候美国就已经对我国的这一企业进行过调查,只是没想到这次他们再次将这样的目标,扩大到了我国的整个储存芯片当中。
而美国非常急迫的这一做法,其实也从侧面体现出了我国储存芯片的实力还是让美国有一些忌惮的,那储存芯片究竟有多重要呢?为什么我国这一芯片在这方面的发展,会引起那么大的关注。
储存芯片这类一芯片并不是大家表面听起来的只有储存信息一类的功能。实际上这一类芯片是芯片当中最为基础的一个,所以它的作用也是最不可更改的一个存在。是其他工作正常进行运转的一个前提基础,所以它对于信息产业来说,是不可或缺的。
而且与高端的soc芯片相比较起来,它显得更为重要,尤其是对于信息产业来说高端的一类soc芯片可以说是信息产业发展的一个更高高度的体现,但储存芯片的却是它的根基。其中就比如说,无论是高端的数据中心,还是人工智能,甚至是平时大家使用的电话都是需要这一类储存芯片的存在的。
在这一方面,我国的储存芯片现在的发展与速度非常的快,也许正是因为这样,所以让美国对我国有了想进行阻拦的想法。我国在2006年第一次实现真正大规模化地储存芯片的布局。当时作为长江储存的前身,也就是武汉新芯,就是在这一时期出现的。虽然当时这一企业在成立初期就遭遇了2008年的经济危机,受到了市场的很大影响,但是他们依然没有在这一方面放弃,反而坚持了下来。
并且在2014年我国成立了国家的芯片基金,对中国集成电路大力发展的情况之下,这一企业又再次和紫光集团一起成立了长江储存。同时他们也联合了中科院清华以及复旦的一些院校的研发科研机构,共同对于NAND 芯片技术进行了研发。
在该企业的努力之下,我国逐渐出现了储存芯片的两类主流,就是非易失性储存芯片以及易失性储存芯片,这两者芯片在功能区别像就是储备时间长短的不同。
随之,在2017年的时候,我国中科院的微电子研究所又在闪存芯片上取得了突破性的进展,并且到2018年的时候长江储存就实现了32层NAND芯片的量产,接着就是继续突破的64层以及在2020年突破的128层,直到2021年实现的量产规模已经受到了更大的关注,在这一技术上我们完全超过了其他许多国家的发展。
从现在的情况来看,我国的长江储存早就超出了我国前期对于芯片研究的范畴,尤其在今年,我国芯片的量产情况还实现了飞跃。如果按照这样的情况走下去,我国这一企业在未来的产能还会逐渐扩大,我国在这一方面的发展就更是美国无法阻拦得了。
而且跟我国进行对比的话,美国本土的闪存芯片是生产数量直接从2019年的2.3%降到了现在的1.6%,所以我国这类芯片现在的发展情况对于美国来说是一个巨大的威胁。
但是实际上对我国的这一类芯片进行禁止的同时,不仅会影响到我国信息产业,对于国外企业来说都是一个非常不好的事情。
虽然说我国的储存芯片的产量达到了23%,但其实韩国的三星一类的企业在外国企业当中也是属于芯片产量非常高的,在这一次美国所采取的行动当中也同样会损害到韩国储存芯片的利益。
并且在其中还有非常明显的一点,那就是现在作为信息全球化发展时代当中,对于我国进行禁止,对于美国来说肯定会遭到一定的反弹。
所以难道美国就宁愿自己利益受损,也不能再让我国的储存芯片进一步发展了吗?
不过越是这样,也就说明我国这一方面的发展已经足以让他们忌惮,当然在以往面对美国的封锁以及禁止条例当中来看,我国虽然会受到影响,但是这依然无法阻拦我国前进的脚步。
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