活动丨《宽禁带半导体大讲堂 第三讲——先进封装技术助力宽禁带半导体产业高质量发展》成功举办！

10月25日，由机械工业出版社、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟主办的“宽禁带半导体大讲堂 第三讲——先进封装技术助力宽禁带半导体产业高质量发展”在机械工业出版社融媒体中心成功举办！活动得到蔻享学术、科技云等媒体的大力宣传和直播分享。大家可以通过“机工电子”视频号回放。

本次活动邀请到中国科学院微电子研究所研究员苏梅英，北京理工大学副教授，博士生导师霍永隽，北京交通大学副教授李金城，北京工业大学教授代岩伟与大家共同分享宽禁带半导体产业链发展构建中涉及教育、人才、科技以及创新应用方面的思路与见解。

活动现场

机械工业出版社电工电子分社社长付承桂 致辞

机械工业出版社电工电子分社社长付承桂首先作了热情洋溢的致辞，她表示“宽禁带半导体大讲堂的推出就是为了传播宽禁带半导体行业发展大事件、技术新突破、产业新进展、投资新观点，打造科学界、产业界与资本圈之间的信息交流平台”。付承桂社长也表达了机械工业出版社为宽禁带半导体行业发展助力赋能的决心，并预祝本次宽禁带半导体大讲堂栏目圆满成功。

中国科学院微电子研究所研究员苏梅英作报告分享

中国科学院微电子研究所研究员苏梅英在《SiC功率器件先进封装技术探讨》的主题发言中重点介绍了SiC功率器件先进封装技术的应用，并结合埋入式封装可靠性设计的器件模块和发展方向对国内碳化硅功率器件进行了展望。

她认为：为尽限发挥SiC功率器件的优点，研发利于发挥其开关性能的无引线封装很关键；埋入式封装的低电感环境可满足干净、快速的开关；埋入式功率器件封装可节省宝贵的基板表面空间；根据应用和性能需求同时可在基板内集成有源和无源器件；埋入封装急需解决关键材料吸潮问题，有利于提高封装可靠性。

北京理工大学副教授霍永隽作报告分享

北京理工大学材料学院副教授霍永隽在《银基低温异质集成与功率电子封装材料研究进展》的主题发言中首先为电子封装技术的发展历史做了系统性的总结，重点介绍了固态互连集成技术的最新研究进展，氮化硅陶瓷基板等功率电子封装材料，瞬态液相微连接技术等最新的研究成果。

他在报告中进一步分享研究得到纳米氧化银在等离子体处理下的四个阶段的生长机制，分别是原子氧吸附和氧化银形核、纳米氧化银颗粒堆积、丘陵状氧化银生长、氧化银大岛生长，最终发现在纳米氧化银的颗粒堆积阶段，它的颗粒、尺寸与微观结构是最适用于固态互连的方式，并且获得纳米氧化银生长工艺的优化参数组合，为后续低温固态互连技术研发奠定技术基础。

北京交通大学信息学院副教授李金城作报告分享

北京交通大学信息学院副教授李金城在《完善人才培养模式-跨越集成电路设计教学与产业需求鸿沟》的主题发言中指出人才问题是严重阻碍我国集成电路产业快速发展的根本问题，重点介绍了跨专业培养集成电路设计人才的各种模式和方法。

集成电路产业的人才缺口存在于各个环节，他指出，要调整政策，从企业引进师资；为高校打造统一的EDA平台；尽快制定一级学科建设标准；修改《模拟电子线路》教材；落实集成电路设计流程全覆盖各归属课程；Verilog和FPGA是数字集成电路设计核心；大量增加专题讲座、专家讲座、案例分析等教学环节，努力弥补“系统”不足短板；跨专业培养集成电路设计人才。

北京工业大学教授代岩伟作报告分享

北京工业大学教授代岩伟在《深度学习辅助的车规级SiC模块可靠性关键因素筛选与寿命预测》的主题发言中介绍了SIC模块的发展现状，车规级SiC模块可靠性关键因素筛选，车规级SiC模块多场耦合寿命预测等研究进展，最后对智能封装可靠性进行展望和预测。代教授讲到，人工智能应该为科学赋能，以AI算法为基础，可靠性为导向，高性能算力需求为先进封装注入新活力。

电工电子分社社长付承桂为四位专家赠书

活动最后，来自现场和线上的观众纷纷踊跃发言提问，参会嘉宾针对大家提出的普遍关注的技术和市场问题进行了现场解答，每位专家的专题报告结束后，付承桂社长专程为专家赠送本社最新宽禁带半导体图书留念。

“在家都是问号，出门才有答案”，宽禁带半导体大讲堂正是通过线下+线上同步直播的形式，让观众与科学家、企业家、投资家等能够面对面充分互动，点对点精准交流，为宽禁带半导体事业的高质量发展助力赋能，为构建产业生态化和生态产业化硬科技圈奉献可持续源动力！

文章作者：吴美祎

图片摄影：韩玲玲

责任编辑：杨琼