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SDRAM控制器设计(数字控制器的两种设计方法)

这次要来解决上次留下来的刷新问题,在100us后首先要经过两次刷新才进行模式寄存器设置。这颗SDRAM芯片需要每隔64ms对8192行(列地址10-位,行地址13位)的每一个存储电容进行一次刷新,因为不刷新电充会泄露电流导致存储信息丢失。那每一行的刷新时间为64/8192 ≈ 7810ns,注意刷新是以行为单位,器芯片内部有一个计数器,这个计数器不是时钟直接驱动的,而是AUTO PRECHARGE驱动,每发一次atuoprecharge命令这个计数器加1,我们是看不到的也无法对其直接置数,这个计数器一上电就进行初始化这是我们不需要关心的,我们要做的是在7810ns进行一次刷新操作就行了。所做的读和写就是在两次刷新间隔内进行的,这个会在下一节讲到。

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