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    Qualcomm《Pseudo-Capless LDO设计指南》解读

    类目 说明 Pseudo-Capless LDO 允许输出电容离LDO本体较远,靠负载端电容和布局设计保障稳定性。 稳定性控制三要素 最大输出电流、负载电容大小、电感 (ESL)。...我来解读,LDO根据应用中是否需要电压调节(Voltage Scaling),分成不同情况讨论: 场景 特性 支持Pseudo-Capless?...总结一下: 大电流跳变(>400mV)不适用Pseudo-Capless!低电流、稳压或小幅度动态调节特别适合采用。 文章里面有个重要的前提是 PMOS 管才可以!...为什么Pseudo-Capless LDO一定选PMOS?我觉得主要是: 特点 PMOS结构 快速响应 PMOS直接从高电位拉到负载,瞬态响应快,适合远端加电容。...出现Pseudo-Capless这种远端去耦结构时,NMOS结构更容易震荡。

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