安集科技主营的集成电路抛光液壁垒相对较高

“难”。集成电路制造商为提高集成电路性能，会逐步增加每块集成电路上电子元器件与布线层的数量和密度，增加集成电路的复杂性和对CMP抛光液材料的相关需求。具体而言，在集成电路制程从微米到纳米的过程中，不同材料的去除速率、选择比及表面粗糙度和缺陷要求是不同的。“专”。在逻辑芯片、存储芯片等集成电路技术不断推进过程中，由于不同客户集成技术不同，故对抛光材料的要求也不同，因此客户和供应商联合开发成为其成功的先决条件。“多”。更先进的逻辑芯片工艺会要求抛光新材料，这为CMP抛光材料带来更多的增长机会，比如14纳米以下逻辑芯片工艺要求关键CMP工艺将达到20步以上，使用的抛光液将从90纳米的五六种增加到二十种以上，种类和用量迅速增长；7纳米以下逻辑芯片工艺中CMP抛光步骤甚至可能达到30步，使用的抛光液种类接近三十种。同样地，存储芯片由2D NAND向3D NAND技术变革，也会使CMP抛光步骤数近乎翻倍增长。