RIC7S113:抗辐射高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,适用于太空等环境。
VOFFSET (max) = 400 V
VCC = 10 V to 20 V
VDD = 5 V to 20 V
IOUTA/B source/sink (typ) = 2 A / -2 A
ton (typ) = 120 ns
Toff (typ) = 100 ns
MT (typ) = 5 ns
TJ = -55°C to 125°C
功能特点:
1. 独立高低侧栅极驱动器,±5V偏置电压。
2. 节省空间和重量,无需栅极驱动变压器。
3. 欠压锁定、CMOS施密特触发输入。
4. 匹配传播延迟、边沿触发、集成电平转换。
5. 密封包装、抗辐射、单粒子效应硬度。
6. 安全工作区定义、瞬态抗扰度。
7. 应用:卫星、功率调节、配电、DC-DC转换、电机驱动。
型号:
RIC7S113A4SCS
RIC7S113A4SCB
RIC7S113A4
RIC7S113C4CDK
RIC7S113C4CDH
RIC7S113C4CDV
RIC7S113E4SCS
RIC7S113E4SCB
RIC7S113E4
RIC7S113L4SCS
RIC7S113L4SCB
RIC7S113L4
RIC7S113EVAL1
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