MOS管的应用原创

师傅，为什么P莫斯比恩斯应用的少？同样是莫斯管，在实际应用中，恩莫斯出现的频率总是要比替莫斯多得多，甚至在许多电路应用中，如正击、反击、推挽、换桥、全桥等拓扑基本是恩沃斯占据一席之地。悟空，你听好了，我们知道恩墨斯和P莫斯的勾道分别是由N型和P型构成。一般情况下，N型半导体的电子浓度相比P型会更高，因此恩莫斯的电子迁移率会比P莫斯高，也就是说在相同的电场速度会更快。师傅，那恩莫斯的迁移率为什么会更高？一般电子浓度相同的两种半导体材料，两端施加相同的电压，迁移率更大的那个半导体材料电流会越大。

也就是说，它的电阻率会越低，经过相同的电流时损耗会越小。然而，莫丝管的载流子只有一种，不是电子就是空学。N行沟道的载留为电子，梯形沟道的载子为空穴。一般电子的迁移率是要比空穴要高的。在同体积大小的情况下，恩莫斯的损耗会比P墨斯的损耗要低。那为什么恩墨斯电子速度会比P莫斯更快呢？当恩墨斯的VGS电压高频率变化时，导电勾到的厚薄度通过电子的移动也会跟着发生变化，这时导电勾到就会更快响应到VGS电压的变化，响应更好，动作频率更高。这里要注意一点，正是因为迁移率。

距的差别，才有速度与勾到导通电阻的差别，这是披莫斯在许多应用中受到限制。除此之外，还有一个器件面积问题，一个与恩莫斯相同驱动能力的P莫斯管所需要的器件面积会比恩莫斯多2倍以上，那成本方便呢？市场上批莫斯的价格普遍比恩莫斯要高，这也是影响的主要原因。好了，本期的视频内容就先讲到这里，有疑问关欢迎大家评论区留言关注我，我们下期再见。