[庆祝]获得国家专利日期:2023年10月10日
[胜利]技术领域:本发明涉及半导体器件制造的技术领域,特别涉及一种SGT器件的工艺方法及SGT器件。
[强]发明效果:通过形成第二沟槽,并增强第二沟槽中部位置侧面的mesa(沟槽旁边的衬底)耗尽,在阱区与N型外延衬底形成的PN结与沟槽底部两个位置的中间再增加一个电场强度尖峰,来提高电场强度曲线延沟槽方向的积分面积,从而达到提高SGT击穿电压的效果。
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