独家发明专利 | 品质有证，安心之选

[庆祝]获得国家专利日期：2023年10月10日

[胜利]技术领域：本发明涉及半导体器件制造的技术领域，特别涉及一种SGT器件的工艺方法及SGT器件。

[强]发明效果：通过形成第二沟槽，并增强第二沟槽中部位置侧面的mesa（沟槽旁边的衬底）耗尽，在阱区与N型外延衬底形成的PN结与沟槽底部两个位置的中间再增加一个电场强度尖峰，来提高电场强度曲线延沟槽方向的积分面积，从而达到提高SGT击穿电压的效果。