三星扩大1c DRAM产能，明年四季度月产能有望达20万片

11月19日消息，据韩国媒体ETNews报道，为应对旺盛的市场需求，三星电子全面启动下一代DRAM扩产计划，预计在明年底前将10nm级第六代DRAM（1c DRAM）月产能扩大至20万片，远高于目前既有规模。

根据规划，三星1c DRAM产能将在今年第四季率先达到每月6万片产能，明年第二季再新增8万片产能，并于2026年第四季进一步扩增6万片，届时整体月产能达到20万片。具体的时间节点以设备完成安装为基准，目标是在上述各个阶段具备立即量产条件。知情人士指出：“三星将在明年底前持续强化1c DRAM 的供给能力，意在提前卡位下一代市场。”

1c DRAM是三星最新一代的内存产品，线宽低于11nm，并采用了多层EUV光刻，属于三星近年主攻的高阶DRAM。此次扩充1c DRAM产能，将使其占据三星整体DRAM月产能（65～70万片）约三分之一的规模，甚至超越三星2022年半导体景气高峰期所新增的13万片扩建量。业界预计，三星将通过既有产线制程转换，加上平泽P4 新厂投资，完成上述扩产。

由于AI 推升DRAM 需求全面走强，不仅HBM供应吃紧，连一般DRAM也呈现缺货，甚至出现“提前下单尚未生产的货”的抢获情况。三星成功开发1c DRAM 后，因此决定加大投入，以具竞争力的产品组合在 DRAM 上升周期中抢占定价权。

需要指出的是，三星的HBM4也计划是利用1c DRAM来进行制造，这也意味着增加的1c DRAM产能可能有较大一部分被用于HBM4的制造。

近期，三星宣布未来五年将投入450万亿韩元于先进制程与产能建设，强调AI 时代已大幅推升存储中长期需求，需提前布局产线以因应市场变化。随着三星1c DRAM 量产规模扩大，未来三星有望进一步提升在DRAM市场占比，缩小与SK海力士之间的差距。

编辑：芯智讯-林子