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高速VCSEL信息整理

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光芯
发布2025-04-08 17:02:22
发布2025-04-08 17:02:22
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文章被收录于专栏:光芯前沿光芯前沿

由于本人对激光器不是很熟悉,只是上一篇文章里提到海思报告中提到的35GHz 带宽的VCSEL可以支持224Gb/s PAM4比较感兴趣,这里就对今年OFC和其他提到的一些高速VCSEL信息做个整理。

  1. Broadcom:200Gb/s PAM4 VCSEL

博通是在今年的OFC上报道的200Gb/s 850nm VCSEL,器件带宽接近35 GHz,7 tap预加重和64tap FFE均衡之后眼图张开,消光比2.1dB,可以看到有skew(时延),等效传输距离为30m worst case OM4光纤。传输距离还比较短,不过相当于原理上证明了DSP辅助下35 GHz带宽实现200G PAM4 调制的高速VCSEL可行性。

2. Coherent:基于光刻孔径的100&200Gb/s PAM4 VCSEL

高意在今年的OFC上报道了光刻孔径940nm VCSEL的路径,通过这种创新的技术手段,实现了带宽>29 GHz,展示了53 Gb NRZ眼图,消光比达到4dB@5 mA,5mA的出光功率大约为2 mW@85℃。此外,在高意官方的新闻稿中也提到,新一代的光刻孔径VCSEL带宽可以达到45 GHz,支撑200G PAM4 调制。

3. 东京工业大学 & Ambition Photonics & 富士通:高带宽1060nm单模VCSEL支撑100G PAM4 2km LPO

东京工业大学是VCSEL的起源地。这两年Fumio Koyama所领导的课题组在高带宽1060nm单模VCSEL上也有些有意思的工作。他们走的是腔内金属孔径的VCSEL路线,能够通过横向共振提升带宽,波长1060nm有更小的色散,传输距离可以更远一些,瞄准2 km的传输应用,非常有Ambition。在2024年OFC上,他们首先报道了>35GHz带宽的八通道单模VCSEL,单模出光功率>4mW,可以支持100Gb PAM42km传输(85℃,无制冷)。

在OFC的PDP session,富士通报道了跟他们合作的2km单模光纤800G LPO(8*100 Gb PAM4)测试结果,信号发生器带有13 tap的线性均衡,在12dB@35GHz的PCB链路插损下,B2B消光比2.03 dB,TDECQ 2.1dB,2km单模光纤传输的眼图优化后消光比2.7 dB,TDECQ 5.08 dB偏大,但作者认为在链路距离确定不变的情况下,2km内的800G传输是没问题的。该800G模块整体功耗仅为4W。

随后在CLEO上,他们又展示了一个创纪录的39.4 GHz带宽的单模VCSEL,同样支持100Gb PAM4的2km传输,具备冲击200Gb PAM4调制的潜力。在马上要召开的ECOC 会议上,他们组也有两篇文章,一篇是用33 GHz带宽的16通道VCSEL,实现16*100G PAM4的1.6 Tbps 多芯光纤CPO,并提到该器件可以进一步冲击90 Gb NRZ和130G PAM4。另外一篇文章则是跟富士通和古河共同报道了25 Gb/s*16ch的超紧凑多芯光纤CPO,尺寸<1cm3,支持2km传输。由于本人在VCSEL领域非专业人士,仅仅做了部分信息整理,如有错误遗漏之处还请各位指正,多多交流。

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原始发表:2024-09-17,如有侵权请联系 cloudcommunity@tencent.com 删除

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