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与第一代的硅(Si)和第二代的 III-V 族化合物相比,第三代碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)具有强大的功率处理能力、较高的开关频率、更高的电压驱动能力、更小的尺寸、更高的效率和更高速的散热能力。
通俗一些,便是耐高压、耐高温、大功率、抗辐射、导电性能强、工作速度快、工作损耗低。可以用于光电子、电力电子、微波射频等领域。
根据法国半导体市场调查公司Yole数据,到2024年SiC功率半导体市场规模将增长至20亿美元,其中,汽车市场占SiC功率半导体市场比重到2024年预计将达50%。
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